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去年下半年，习惯于以PC架构领导者姿态出现的英特尔启动了新一轮产品线变革，这次革新是近3年来最彻底的一次，范围覆盖了包含桌面、移动、工作站/服务器的整个Intel
X86系统，而内容则是以系统总线串行化（全新的PCI-Express）和内存系统的大幅度提速为核心的，这使DDR2正式登上系统内存的历史舞台承担重要角色。 DDR2内存及其优势分析 作为DDR内存新一代技术革新的产物，DDR2内存具有更高速，更大带宽，更低电耗以及更好的散热性能等特点。它是DDR SDRAM的换代产品，在基本架构方面和DDR
SDRAM类似，最大变化在于引进了4bit Prefetch（数据预取架构）来改善内存运行频率。
DDR2 SDRAM/DDR SDRAM/SDR SDRAM内存时钟频率和存储单元频率的比较 具体实现的方式是用两倍于DDR
SDRAM内存的数据预取架构来增强存储单元并行运行能力，在提供相同传输速率的同时降低了存储单元的运行频率，和DDR400内存的200MHz存储单元运行频率相比，DDR2-533内存的存储单元仅运行在133MHz，由于存储单元的频率很难在往上提升，因此DDR400达到了大规模因应用的极限，而DDR2还可以提升存储单元频率来提高DRAM输出频率，最终改善整个内存模组能够提供的带宽。
此外DDR
SDRAM还应用前置CAS和附加延迟，在一个前置CAS作业中，一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持，并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。这样简化了控制器设计，因为它可以避免指令通道上的冲突。而且，采用一个简单的指令序列还可以提高指令和数据通道的效率。由于在读/写指令之间不存在气泡（bubble)或空隙周期，因此实际的内存带宽也得到提高。
DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计，即内建终结电阻。终端暂存器(termination
register)就实现在该DRAM晶片之中，可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器，简化了主板设计，降低设计制造成本。DRAM控制器可以为每个讯号设定终端暂存器的开或关，这些讯号包括数据I/O、差分数据选通讯号和写数据屏蔽。利用ODT就不需要Vtt产生器或Rtt电阻，而且能降低多重反射，提高信号完整性并增加时序裕量。
FBGA封装的DDR2 SDRAM内存芯片 所有的DDR2 SDRAM内存均采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid
Array：细间距球栅阵列）封装，减少尺寸并提高高频作用下的信号稳定性，这种技术的一个变体是新型的sFBGA（堆迭式FBGA），它增加了各模组之间的空气流动空间因而提高了热性能和可靠性。典型的DDR2
SDRAM内存DIMM模组有240pin，仅为1.8V的工作电压远低于DDR SDRAM的2.5V/2.6V，这使DDR2有大幅低于DDR
SDRAM的功耗和发热量。
| 特性 |
DDR2 |
DDR |
DDR2的优势 |
| 内存芯片封装 |
只采用FBGA |
TSOP 与 BGA | 高速，散热性能提高 |
| ODT |
在每一个芯片 |
在主板内存信号终止 |
在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。 |
| 电压 |
1.8 Volts | 2.5 Volts |
更低的能耗与热耗 |
| 内存芯片规格 |
256Mb-4Gb* |
128Mb - 1Gb |
DDR SDRAM： 1Gb单颗芯片实现2GB DIMM模组 (非迭加型) DDR2 SDRAM： 4Gb单颗芯片实现8GB DIMM模组 (非迭加型) DDR2 SDRA同样支持芯片迭加实现更高容量的内存模组 |
| 速度 (MHz) | 400, 533, 667 |
200, 266, 333, 400 |
速度限制提高到400MHz以上 |
| 模组带宽 |
高达 10.6GB/s (双通道) | 高达 6.4GB/s (双通道) | 更高的内存性能 |
DDR2 SDRAM与DDR SDRAM特性比较表 DDR2 SDRAM内存模组和DDR SDRAM内存模组类型相当，增加了MicroDIMM模组，而本文所要讨论的内存模组都是限定在标准的Unbuffered
DIMM范围内，极少会涉及到一点Registered ECC DIMM部分。JEDEC认证了DDR2-400、DDR2-533和DDR2-667三种DDR2 SDRAM规格，最快的DDR2-SDRAM是将要推出的DDR2-800。
| Memory
Module |
DDR2
SDRAM |
DDR
SDRAM |
| Unbuffered DIMMs（ECC or
non-ECC） |
240-pin 1.8V | 184-pin 2.5V |
| Registered ECC DIMMs | 240-pin 1.8V |
184-pin 2.5V |
| SO-DIMMs |
200-pin 1.8V | 200-pin 2.5V |
| MicroDIMMs |
244-pin 1.8V | -- |
| Mini Registered DIMMs | 214-pin 1.8V |
172-pin 2.5V |
DDR2 SDRAM与DDR SDRAM模组说明 DDR2 SDRAM的推行在技术上不存在问题，但在市场层面能够迅速被Intel定为主流标准还是相当巨大的事件，因为在桌面系统的架构分析，DDR400是能够完美支持FSB800规格的Pentium4处理器的，除了确立形象的少数FSB1066型号Pentium4，PC并没有急切引进DDR2的需求，事实上这种趋势的直接原因来自服务器平台/移动式电脑这一端： 高频率DDR SDRAM的相对高能耗特征降低笔记本电池寿命，影响服务器内存容量；过多热量导致出现可靠性问题，需要更多的主动降温措施。在内存负载方面，配置超过每通道DualRank DDR333/400
DIMM模组时可靠性降低，与迭加的2x512Mb相比，使用1GB DRAM芯片的大容量模组非常昂贵，与此同时DDR400芯片不能象DDR266/200芯片那样被迭加。 与DDR SDRAM的糟糕局限性不同，DDR2
SDRAM可以轻松实现Registered
ECC DDR2-400 2GB容量的模组并最高达到8GB，更能在应用堆迭式FBGA时进一步扩充，而同规格的DDR400产品就非常难以制成并且成本高昂，Intel最新一代Server芯片组E7520、E7320以及Workstation芯片组E7525都转向支持Registered
ECC DDR2-400来配合800FSB的新一代XEON处理器，DDR SDRAM则仅被支持到能够量产的DDR333规格。 DDR2内存的不足
和DDR内存相比DDR2的缺点在其CAS Latency（内存CAS延迟时间）支持3、4、5设定，而比DDR的2、2.5、3来得慢。在这样的前提下最优化时序的DDR2
SDRAM内存模组比同样优化的同频率DDR SDRAM内存模组比较会在内存带宽上处于劣势，而这样的情况在目前PC主流应用（和800FSB
CPU配合）会比较普遍，因此Intel在桌面芯片组上选择了DDR2-533的设定将内存异步于CPU以改善性能。当DDR2被应用在DDR无法达到的高频率并和未来高FSB
CPU配合使用时，这种相对的劣势才能得以消除。
另外一个的缺点是暂时性的，作为新产品，DDR2
SDRAM目前的成产良品率还低于DDR400以下规格的DDR SDRAM。 桌面应用平台 Intel从915/925 Express系列MCH开始支持DDR2，这些逻辑芯片的内存控制器可以良好在使用DDR2内存时支持内存/CPU同步以及以4：3的比例异步运作，同时3：2的异步模式也被支持。915
Express系列和925X Express支持CAS Latency 4的Unbuffered DDR2
533内存模组，925X Express还支持ECC Unbuffered类型；后续的925X
Express增强型号925XE Express支持1.9V下的CAS Latency 3型Unbuffered DDR2
533内存模组并将FSB最高支持到FSB1066，但却莫名其妙的砍掉了对ECC
Unbuffered模组的支持能力；仍旧让人失望的是925XE Express还仅提供4：3和3：2的内存/CPU异步模式，这意味着被JEDEC认证了的DDR2-667标准仍然是没办法正式施展拳脚。 最新的Intel MCH产品是945/955 Express系列，从现在的资料看，它们将能够搭配未来的双核心处理器，内存方面正式支持双通道DDR2-667，但具体的内存/CPU模式还没有细节放出，高端的桌面逻辑芯片955
Express将恢复对ECC Unbuffered模组的支持。 从Intel的Roadmap观察，DDR2 SDRAM是2005年的高性能平台的标准搭配，而DDR SDRAM并不会被淘汰，它将在主流和低端平台上继续存在；AMD方面预计在2005年度仍会停留在DDR SDRAM上面。内存速度跑到了CPU需求的前面在近些年尚属首次，按照以往的经验都是当内存已经成为系统瓶颈时才慢吞吞的流行起来新标准，而眼前未雨绸缪的DDR2-667，甚至还有马上就被Elpdia（而必达）推出的DDR2-800，CPU部分看来需要一段时间才能追赶上来了，即使目前最快的FSB1066
Pentium4处理器，用双通道DDR2-533显然就可以轻松应付。在AMD还没有推出DDR2内存控制器的处理器之前，这种最快速的内存还仅能在Intel的系统上使用，不过从前景分析，DDR2
SDRAM成为主流只是时间问题，它成本不高，性能提升空间大并且几乎没有竞争者。DDR2 SDRAM的推广不但但让CPU/内存子系统受益，更强的内存带宽规格配合全新的PCI
Express总线能够让使用系统内存的图形加速产品更加实用化，就像nVIDIA刚刚推出的Geforce
6200TC，仅配置很小容量的本地内存就可以达到相当可观的3D加速性能。 本文测试内容 我们收集了9种DDR2 SDRAM内存模组进行测试，它们使用的芯片涵盖了目前提供DDR2
SDRAM芯片的几家品牌，包括elixir（nanya）、hynix、Infineon、Micron和Samsung。测试的重点在于超频，内容将力求给读者带来这些DDR2内存的最优化运行性能比较，其中还涉及和DDR
SDRAM对比的部分。 注：影响内存性能的因素
影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR
SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：CAS
Latency，内存CAS延迟时间。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge
Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active
Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点.
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