产品介绍
PNY是活跃于欧美市场的PC配件产品零售商，产品涉及PC板卡等领域，也包括内存模组，这家厂商进入中国大陆市场时间不久，他们送测的是DDR2-667
1GB产品，如图所示，为一对non-ECC unbuffered 240pin
1024MB DDR2-667 SDRAM内存模组，内存的16片芯片贴装于PCB正反两面，非ECC模组型PCB设计成双rank规格。
产品标签注明了内存模组的型号、容量、速度和每根唯一的S/N编号，但缺少标准运行延迟信息。
内存芯片表面只能看到PNY的Logo和和修改过的型号，无法了解原本DRAM制造商提供的信息。
这款产品的SPD信息内容很少，仅标注出了模组容量和速度，制造商等其他部分信息未注明。内存时序表部分设定完整，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，DDR2-667为5-5-5-15，为市场大多数产品的主流水平。
超频能力
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3-3-3-8 |
4-4-4-12 |
5-5-5-15 |
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on P5WD2-E
Premium |
| 1.8V |
DDR2-533 |
DDR2-711 |
DDR2-800 |
| 2.4V |
DDR2-550 |
DDR2-900 |
DDR2-1020 |
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on M2N32-SLI
Deluxe |
| 1.8V、1T |
DDR2-550 |
DDR2-590 |
DDR2-590 |
| 1.8V、2T |
DDR2-550 |
DDR2-590 |
DDR2-600 |
| 2.2V、1T |
DDR2-625 |
DDR2-640 |
DDR2-640 |
| 2.2V、2T |
DDR2-625 |
DDR2-670 |
DDR2-670 |
和前面那些DDR2-800规格的内存模组相比，PNY DDR2-667
1GB内存模组的超频表现毫不逊色，尤其是在975X平台上，这款产品在提高工作电压后成功突破DDR2-1000大关，即使是标准电压1.8V，它也有达到DDR2-800水平的良好表现。PNY
DDR2-667 1GB内存模组在nForce 590 SLI上的超频测试也是在2.2V下完成，在这里它相对缺乏亮点，虽然能够勉强达到DDR2-667的标称，但也是在提高电压之后实现的。
