美光将量产写入100MB/秒NAND型闪存！

   美国美光科技与美国英特尔联合开发出了写入速度为100MB/秒、读取速度为200MB/秒的双向高速NAND型闪存。该产品属于50nm工艺的非多値（SLC：single level cell）8Gbit产品。美光宣布已开始向OEM及控制电路厂商供应样品，并从08年下半年开始在与英特尔合资的美国IM Flash Technologies（IMFT）内量产该产品。小熊在线www.beareyes.com.cn

   原SLC的NAND型闪存的写入速度为20MB/秒左右，读取速度为40MB/秒左右。此次，美光与英特尔开发的NAND型闪存的写入速度和读取速度均提高到原来的约5倍。是通过采用“ONFI 2.0”接口，以及导入时钟速度更高的四平面架构（Four Plane Architecture）实现的。

   ONFI 2.0是两公司加盟的业界团体“Open NAND Flash Interface（ONFI）”推进的NAND型闪存新接口规格。继该产品之后，美光还将于09年推出基于ONFI 2.0的NAND型闪存新产品。小熊在线www.beareyes.com.cn

   来源：日经BP