Fujitsu推出新款8Mbit FRAM存储器，支持高达100万亿次写入次数

日本横滨2021年11月17日 -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出带并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存储器，这也是Fujitsu首款支持100万亿次读/写周期的FRAM系列产品。评估样本目前已发布。

网址：

图1?MB85R8M2TA封装：

FRAM是一款非易失性存储产品，具有高读写耐久性、高速写入、低功耗等优点，已批量生产20多年。

网址：

MB85R8M2TA存储器配有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V-3.6V的电源电压范围内工作。新款FRAM在快页模式下可实现25ns的访问时间，因此在持续数据传输时的访问速度可与SRAM相媲美。与Fujitsu的传统产品相比，该存储器实现了高速运行（访问速度提高约30%）和低功耗（工作电流减少10%）。这款存储器IC是SRAM的理想替代产品，可用于需要高速运行的工业机器。

图2?FRAM用例：

图3?电流比较：

从上述特点来看，新款8Mbit FRAM可在某些情况下省去SRAM所必需的数据备份电池，为客户带来好处。

图4?用非易失性存储器替换SRAM时会遇到的问题及解决方案：

Fujitsu Semiconductor Memory Solution致力于开发高性能产品，为可持续发展的社会做出贡献。例如，该公司在不断开发低功耗FRAM产品。通过降低产品功耗，该公司旨在减少二氧化碳和温室气体排放。

Fujitsu将继续满足市场和客户的需求和要求，同时开发环保型存储产品。

来源：美通社