SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM

小熊在线 有毒的西瓜 | 2023年04月20日
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM ......

4月20日,SK海力士宣布,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品。新品采用先进(Advanced)MR-MUF3和TSV4技术。通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性,又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠,实现了与16GB产品相同的高度。

标签:SK海力士 DRAM

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